IPD65R600C6BTMA1
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- 制造商编号：
- IPD65R600C6BTMA1
- 制造商：
- INFINEON(英飞凌)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252
- 渠道：
- digikey
库存 ：1000
货期：（7~10天）
起订量：2500
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 2500 | ￥8.992999 | ￥22482.50 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
IPD65R600C6BTMA1
制造商
INFINEON(英飞凌)
商品描述
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252
包装
Tape & Reel (TR)
系列
CoolMOS™
零件状态
Last Time Buy
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
650V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
7.3A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
600mOhm @ 2.1A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
3.5V @ 210µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
23nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
440pF @ 100V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
63W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
PG-TO252-3
封装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
IPD65R600C6BTMA1 同类别型号
注
IPD65R600C6BTMA1品牌厂家：INFINEON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、IPD65R600C6BTMA1
数据手册PDF
。
IPD65R600C6BTMA1
型号：IPD65R600C6BTMA1
品牌：INFINEON
供货：锐单
库存：1000 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 2500+： | ￥8.992999 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00