RGT8NS65DGTL
库存 ：922
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定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
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| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
击穿电压(集电极-发射极) 650 V
饱和电压 1.65 V
栅极/发射极最大电压 30 V
在25 C的连续集电极电流 8 A
耗散功率 65 W
集电极连续电流 4 A
集电极连续电流（Max） 8 A
栅极—射极漏泄电流 +/- 200 nA
规格参数
工作温度范围 - 40 C to + 175 C
物理类型
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 SMD/SMT
产品类型 IGBT Transistors
零件号别名 RGT8NS65D(LPDS)
单位重量 2 g
RGT8NS65DGTL 同类别型号
注
RGT8NS65DGTL品牌厂家：ROHM
，所属分类： 晶体管-IGBT
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替代型号
、RGT8NS65DGTL
数据手册PDF。
RGT8NS65DGTL
型号：RGT8NS65DGTL
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：922 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：7-10天
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