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APTM120TDU57PG

MICROSEMI(美高森美)
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制造商编号:
APTM120TDU57PG
制造商:
MICROSEMI(美高森美)
产品类别:
射频晶体管
商品描述:
MOSFET 6N-CH 1200V 17A SP6-P
渠道:
digikey

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制造商型号

APTM120TDU57PG

制造商

MICROSEMI(美高森美)

商品描述

MOSFET 6N-CH 1200V 17A SP6-P

包装

Bulk

系列

-

零件状态

Obsolete

FET 类型

6 N-Channel (3-Phase Bridge)

FET 功能

Standard

漏源电压(Vdss)

1200V (1.2kV)

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)

17A

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)

684mOhm @ 8.5A, 10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)

5V @ 2.5mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)

187nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)

5155pF @ 25V

功率 - 最大值

390W

工作温度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安装类型

Chassis Mount

封装/外壳

SP6

供应商器件封装

SP6-P

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型号:APTM120TDU57PG

品牌:MICROSEMI

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