RGPR20NS43HRTL
库存 ：84
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥25.723174 | ￥25.72 |
| 10 | ￥23.164115 | ￥231.64 |
| 100 | ￥18.621455 | ￥1862.15 |
| 500 | ￥15.298659 | ￥7649.33 |
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 460 V
饱和电压 1.6 V
栅极/发射极最大电压 10 V
在25 C的连续集电极电流 20 A
耗散功率 107 W
集电极连续电流（Max） 20 A
栅极—射极漏泄电流 0.6 mA
物理类型
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 IGBT Transistors
RGPR20NS43HRTL 同类别型号
注
RGPR20NS43HRTL品牌厂家：ROHM
，所属分类： 晶体管-IGBT
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替代型号
、RGPR20NS43HRTL
数据手册PDF。
RGPR20NS43HRTL
型号：RGPR20NS43HRTL
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：84 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥25.723174 |
| 10+： | ￥23.164115 |
| 100+： | ￥18.621455 |
| 500+： | ￥15.298659 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥25.72