RGPR30NS40HRTL
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1000 | ￥6.728121 | ￥6728.12 |
| 2000 | ￥6.566176 | ￥13132.35 |
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 430 V
饱和电压 1.6 V
栅极/发射极最大电压 10 V
在25 C的连续集电极电流 30 A
耗散功率 125 W
集电极连续电流（Max） 30 A
栅极—射极漏泄电流 0.6 mA
物理类型
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 IGBT Transistors
RGPR30NS40HRTL 同类别型号
注
RGPR30NS40HRTL品牌厂家：ROHM
，所属分类： 晶体管-IGBT
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替代型号
、RGPR30NS40HRTL
数据手册PDF。
RGPR30NS40HRTL
型号：RGPR30NS40HRTL
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1000+： | ￥6.728121 |
| 2000+： | ￥6.566176 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00