货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥11.734524 | ¥11.73 |
10 | ¥9.733175 | ¥97.33 |
100 | ¥7.748385 | ¥774.84 |
500 | ¥6.556503 | ¥3278.25 |
1000 | ¥5.5631 | ¥5563.10 |
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 55 V
漏极电流 110 A
漏源电阻 6.5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 76 nC
耗散功率 170 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 67 ns
正向跨导(Min) 71 S
上升时间 95 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 45 ns
典型接通延迟时间 18 ns
高度 9.45 mm
长度 10.2 mm
宽度 4.5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
类型 HEXFET Power MOSFET
零件号别名 IRF3205ZLPBF SP001564660
单位重量 2.387 g
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0IRF3205ZLPBF
型号:IRF3205ZLPBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥11.734524 |
10+: | ¥9.733175 |
100+: | ¥7.748385 |
500+: | ¥6.556503 |
1000+: | ¥5.5631 |
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单价:¥0.00总价:¥11.73