货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥13.943452 | ¥13.94 |
10 | ¥12.556258 | ¥125.56 |
100 | ¥10.090053 | ¥1009.01 |
500 | ¥8.290133 | ¥4145.07 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
击穿电压(集电极-发射极) 650 V
饱和电压 1.65 V
栅极/发射极最大电压 30 V
在25 C的连续集电极电流 30 A
耗散功率 133 W
集电极连续电流 15 A
集电极连续电流(Max) 30 A
栅极—射极漏泄电流 +/- 200 nA
工作温度范围 - 40 C to + 175 C
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 SMD/SMT
产品类型 IGBT Transistors
零件号别名 RGT30NS65D(LPDS)
单位重量 2 g
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0RGT30NS65DGTL
型号:RGT30NS65DGTL
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
1+: | ¥13.943452 |
10+: | ¥12.556258 |
100+: | ¥10.090053 |
500+: | ¥8.290133 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥13.94