NGTG12N60TF1G
库存 ：215
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥24.438271 | ￥24.44 |
| 10 | ￥21.899997 | ￥219.00 |
| 25 | ￥20.660374 | ￥516.51 |
| 100 | ￥16.115091 | ￥1611.51 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
技术 Si
击穿电压(集电极-发射极) 600 V
饱和电压 1.6 V
栅极/发射极最大电压 20 V
在25 C的连续集电极电流 24 A
耗散功率 54 W
集电极连续电流 20 A
栅极—射极漏泄电流 100 nA
物理类型
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
单位重量 8 g
NGTG12N60TF1G 同类别型号
注
NGTG12N60TF1G
型号：NGTG12N60TF1G
品牌：ON
供货：锐单
库存：215 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥24.438271 |
| 10+： | ￥21.899997 |
| 25+： | ￥20.660374 |
| 100+： | ￥16.115091 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥24.44