货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥18.275754 | ¥18.28 |
10 | ¥16.415426 | ¥164.15 |
100 | ¥13.192605 | ¥1319.26 |
500 | ¥10.838766 | ¥5419.38 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
击穿电压(集电极-发射极) 650 V
饱和电压 1.65 V
栅极/发射极最大电压 30 V
在25 C的连续集电极电流 40 A
耗散功率 161 W
集电极连续电流 20 A
集电极连续电流(Max) 40 A
栅极—射极漏泄电流 +/- 200 nA
工作温度范围 - 40 C to + 175 C
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 SMD/SMT
产品类型 IGBT Transistors
零件号别名 RGT40NS65D(LPDS)
单位重量 2 g
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0RGT40NS65DGTL
型号:RGT40NS65DGTL
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
1+: | ¥18.275754 |
10+: | ¥16.415426 |
100+: | ¥13.192605 |
500+: | ¥10.838766 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥18.28