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制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
产品 MOSFET Small Signal
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 5.8 A
漏源电阻 40 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 10.1 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 23.4 ns
上升时间 9.9 ns
晶体管类型 2 P-Channel
典型关闭延迟时间 28 ns
典型接通延迟时间 4.4 ns
高度 1.5 mm
长度 5.3 mm
宽度 4.1 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 851 mg
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0DMP2066LSD-13
型号:DMP2066LSD-13
品牌:DIODES
供货:锐单
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