
货期:(7~10天)
起订量:7000
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 7000 | ¥9.420564 | ¥65943.95 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 80 A
漏源电阻 4.8 mOhms
栅极电压 - 16 V, + 16 V
栅源极阈值电压 1.7 V
栅极电荷 110 nC
耗散功率 107 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 13 ns
上升时间 4 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 80 ns
典型接通延迟时间 14 ns
高度 4.4 mm
长度 10 mm
宽度 9.25 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPB80N06S4L-05 SP001028720
单位重量 4 g
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0IPB80N06S4L05ATMA2
型号:IPB80N06S4L05ATMA2
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 7000+: | ¥9.420564 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥0.00