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数量 | 价格 | 总计 |
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1000 | ¥13.183529 | ¥13183.53 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 650 V
饱和电压 1.65 V
栅极/发射极最大电压 30 V
在25 C的连续集电极电流 48 A
耗散功率 194 W
栅极—射极漏泄电流 200 nA
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 SMD/SMT
产品类型 IGBT Transistors
零件号别名 RGT50NS65D(LPDS)
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0RGT50NS65DGTL
型号:RGT50NS65DGTL
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
1000+: | ¥13.183529 |
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