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制造商 NXP
商标 NXP Semiconductors
晶体管极性 N-Channel
技术 Si
漏源击穿电压 68 V
通道模式 Enhancement
配置 Single
湿度敏感性 Yes
栅极电压 - 0.5 V, 12 V
高度 2.08 mm
长度 9.7 mm
宽度 6.15 mm
产品种类 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
安装风格 SMD/SMT
产品类型 RF MOSFET Transistors
零件号别名 935313674528
单位重量 548 mg
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0MRF6S20010GNR1
型号:MRF6S20010GNR1
品牌:NXP
供货:锐单
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