RGT50NS65DGTL
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥47.580142 | ￥47.58 |
| 10 | ￥42.682597 | ￥426.83 |
| 100 | ￥34.974894 | ￥3497.49 |
| 500 | ￥29.773728 | ￥14886.86 |
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 650 V
饱和电压 1.65 V
栅极/发射极最大电压 30 V
在25 C的连续集电极电流 48 A
耗散功率 194 W
栅极—射极漏泄电流 200 nA
物理类型
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 SMD/SMT
产品类型 IGBT Transistors
零件号别名 RGT50NS65D(LPDS)
RGT50NS65DGTL 同类别型号
注
RGT50NS65DGTL品牌厂家：ROHM
，所属分类： 晶体管-IGBT
，可在锐单商城现货采购RGT50NS65DGTL、查询RGT50NS65DGTL代理商；
RGT50NS65DGTL价格批发咨询客服；这里拥有
RGT50NS65DGTL中文资料
、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、 现货库存、封装信息、产品选型手册，还可快速找到RGT50NS65DGTL
替代型号
、RGT50NS65DGTL
数据手册PDF。
RGT50NS65DGTL
型号：RGT50NS65DGTL
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥47.580142 |
| 10+： | ￥42.682597 |
| 100+： | ￥34.974894 |
| 500+： | ￥29.773728 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥47.58