货期: 8周-10周
起订量:800
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
800 | ¥8.269639 | ¥6615.71 |
制造商 Vishay
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 200 V
漏极电流 9 A
漏源电阻 400 mOhms
栅极电压 - 10 V, + 10 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 40 nC
耗散功率 74 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 33 ns
正向跨导(Min) 4.8 S
上升时间 57 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 38 ns
典型接通延迟时间 8 ns
高度 4.83 mm
长度 10.67 mm
宽度 9.65 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 4 g
购物车
0SIHL630STRL-GE3
型号:SIHL630STRL-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
800+: | ¥8.269639 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥0.00