SIA917DJ-T1-GE3
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- 制造商编号：
- SIA917DJ-T1-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
- 渠道：
- 国内现货digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：45
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 45 | ￥1.774027 | ￥79.83 |
| 50 | ￥1.774027 | ￥88.70 |
| 100 | ￥1.774027 | ￥177.40 |
| 300 | ￥1.740228 | ￥522.07 |
| 500 | ￥1.723397 | ￥861.70 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
SIA917DJ-T1-GE3
制造商
SILICONIX(威世)
商品描述
MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
包装
Tape & Reel (TR)
系列
TrenchFET®
零件状态
Obsolete
FET 类型
2 P-Channel (Dual)
FET 功能
Logic Level Gate
漏源电压（Vdss）
20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
4.5A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
110mOhm @ 2.5A, 4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
9nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
250pF @ 10V
功率 - 最大值
6.5W
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/外壳
PowerPAK® SC-70-6 Dual
供应商器件封装
PowerPAK® SC-70-6 Dual
SIA917DJ-T1-GE3 同类别型号
注
SIA917DJ-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 射频晶体管
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数据手册PDF。
SIA917DJ-T1-GE3
型号：SIA917DJ-T1-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 45+： | ￥1.774027 |
| 50+： | ￥1.774027 |
| 100+： | ￥1.774027 |
| 300+： | ￥1.740228 |
| 500+： | ￥1.723397 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00