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整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥25.483748 | ¥25.48 |
10 | ¥22.901121 | ¥229.01 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
击穿电压(集电极-发射极) 650 V
饱和电压 1.6 V
栅极/发射极最大电压 30 V
在25 C的连续集电极电流 58 A
耗散功率 194 W
集电极连续电流 30 A
集电极连续电流(Max) 58 A
栅极—射极漏泄电流 +/- 200 nA
工作温度范围 - 40 C to + 175 C
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
零件号别名 RGTH60TS65
单位重量 2 g
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0RGTH60TS65GC11
型号:RGTH60TS65GC11
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
1+: | ¥25.483748 |
10+: | ¥22.901121 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥25.48