RGTH60TS65GC11
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥20.83694 | ￥20.84 |
| 10 | ￥18.725239 | ￥187.25 |
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
击穿电压(集电极-发射极) 650 V
饱和电压 1.6 V
栅极/发射极最大电压 30 V
在25 C的连续集电极电流 58 A
耗散功率 194 W
集电极连续电流 30 A
集电极连续电流（Max） 58 A
栅极—射极漏泄电流 +/- 200 nA
规格参数
工作温度范围 - 40 C to + 175 C
物理类型
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
零件号别名 RGTH60TS65
单位重量 2 g
RGTH60TS65GC11 同类别型号
注
RGTH60TS65GC11品牌厂家：ROHM
，所属分类： 晶体管-IGBT
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替代型号
、RGTH60TS65GC11
数据手册PDF。
RGTH60TS65GC11
型号：RGTH60TS65GC11
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥20.83694 |
| 10+： | ￥18.725239 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥20.84