SI4561DY-T1-GE3
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请参阅产品规格
- 制造商编号：
- SI4561DY-T1-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET N/P-CH 40V 6.8A 8-SOIC
- 渠道：
- 国内现货digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：42
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 42 | ￥2.295907 | ￥96.43 |
| 50 | ￥2.295907 | ￥114.80 |
| 100 | ￥2.295907 | ￥229.59 |
| 300 | ￥2.295907 | ￥688.77 |
| 500 | ￥2.295907 | ￥1147.95 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
SI4561DY-T1-GE3
制造商
SILICONIX(威世)
商品描述
MOSFET N/P-CH 40V 6.8A 8-SOIC
包装
Tape & Reel (TR)
系列
TrenchFET®
零件状态
Obsolete
FET 类型
N and P-Channel
FET 功能
Logic Level Gate
漏源电压（Vdss）
40V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
6.8A, 7.2A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
35.5mOhm @ 5A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
20nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
640pF @ 20V
功率 - 最大值
3W, 3.3W
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/外壳
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供应商器件封装
8-SO
SI4561DY-T1-GE3 同类别型号
注
SI4561DY-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 射频晶体管
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数据手册PDF。
SI4561DY-T1-GE3
型号：SI4561DY-T1-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 42+： | ￥2.295907 |
| 50+： | ￥2.295907 |
| 100+： | ￥2.295907 |
| 300+： | ￥2.295907 |
| 500+： | ￥2.295907 |
货期：1-2天
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单价：￥0.00总价：￥0.00