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起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥23.882632 | ¥23.88 |
10 | ¥21.465766 | ¥214.66 |
100 | ¥17.588056 | ¥1758.81 |
500 | ¥14.972552 | ¥7486.28 |
1000 | ¥12.763622 | ¥12763.62 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
击穿电压(集电极-发射极) 650 V
饱和电压 1.65 V
栅极/发射极最大电压 30 V
在25 C的连续集电极电流 48 A
耗散功率 174 W
集电极连续电流 25 A
集电极连续电流(Max) 48 A
栅极—射极漏泄电流 +/- 200 nA
工作温度范围 - 40 C to + 175 C
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
零件号别名 RGT50TS65D
单位重量 38 g
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0RGT50TS65DGC11
型号:RGT50TS65DGC11
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
1+: | ¥23.882632 |
10+: | ¥21.465766 |
100+: | ¥17.588056 |
500+: | ¥14.972552 |
1000+: | ¥12.763622 |
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单价:¥0.00总价:¥23.88