STH110N8F7-2
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起订量：2000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 2000 | ￥9.704343 | ￥19408.69 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
STH110N8F7-2
制造商
ST(意法半导体)
商品描述
MOSFET
包装
Tape & Reel (TR)
系列
STripFET™ F7
零件状态
Active
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
80V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
110A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
6.6mOhm @ 55A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
45nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
3200pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
170W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
H2Pak-2
封装/外壳
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
STH110N8F7-2 同类别型号
注
STH110N8F7-2品牌厂家：ST
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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数据手册PDF。
STH110N8F7-2
型号：STH110N8F7-2
品牌：ST
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 2000+： | ￥9.704343 |
货期：7-10天
+ -
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