IXGN200N170
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥920.153788 | ￥920.15 |
| 10 | ￥864.377875 | ￥8643.78 |
| 100 | ￥789.142022 | ￥78914.20 |
规格参数
关键信息
制造商 IXYS
商标 IXYS
技术类参数
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 1700 V
饱和电压 2.1 V
栅极/发射极最大电压 20 V
在25 C的连续集电极电流 280 A
耗散功率 1250 W
集电极连续电流（Max） 1050 A
栅极—射极漏泄电流 200 nA
物理类型
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Screw Mount
产品类型 IGBT Transistors
单位重量 6 g
IXGN200N170 同类别型号
注
IXGN200N170
型号：IXGN200N170
品牌：IXYS
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥920.153788 |
| 10+： | ￥864.377875 |
| 100+： | ￥789.142022 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥920.15