
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥9.473785 | ¥9.47 |
| 50 | ¥7.622572 | ¥381.13 |
| 100 | ¥6.040862 | ¥604.09 |
| 500 | ¥5.120198 | ¥2560.10 |
| 1000 | ¥4.170937 | ¥4170.94 |
制造商 Toshiba
商标名 MOSVII
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 500 V
漏极电流 8 A
漏源电阻 850 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 16 nC
耗散功率 40 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 12 ns
正向跨导(Min) 1 S
上升时间 20 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 60 ns
典型接通延迟时间 40 ns
高度 15 mm
长度 10 mm
宽度 4.5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
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0TK8A50D(STA4,Q,M)
型号:TK8A50D(STA4,Q,M)
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥9.473785 |
| 50+: | ¥7.622572 |
| 100+: | ¥6.040862 |
| 500+: | ¥5.120198 |
| 1000+: | ¥4.170937 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥9.47