CSD75301W1015
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规格参数
属性
参数值
制造商型号
CSD75301W1015
制造商
TI(德州仪器)
商品描述
MOSFET 2P-CH 20V 1.2A 6DSBGA
包装
Cut Tape (CT)
系列
NexFET™
零件状态
Obsolete
FET 类型
2 P-Channel (Dual)
FET 功能
Logic Level Gate
漏源电压（Vdss）
20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
1.2A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
100mOhm @ 1A, 4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
2.1nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
195pF @ 10V
功率 - 最大值
800mW
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/外壳
6-UFBGA, DSBGA
供应商器件封装
6-DSBGA (1x1.5)
CSD75301W1015 同类别型号
注
CSD75301W1015品牌厂家：TI
，所属分类： 射频晶体管
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。
CSD75301W1015
型号：CSD75301W1015
品牌：TI
供货：锐单
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