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制造商 NXP
商标 NXP Semiconductors
晶体管极性 N-Channel
技术 Si
漏极电流 2.6 A
漏源击穿电压 - 500 mV, 30 V
工作频率 1.8 MHz to 941 MHz
输出功率 3.2 W
通道数量 1 Channel
耗散功率 30.5 W
栅极电压 - 6 V, 12 V
栅源极阈值电压 2.2 V
增益 20.8 dB
产品种类 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
安装风格 SMD/SMT
产品类型 RF MOSFET Transistors
类型 RF Power MOSFET
零件号别名 935312585147
单位重量 50.800 mg
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0AFT05MS003NT1
型号:AFT05MS003NT1
品牌:NXP
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