ZXMN6A09KQTC
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- 制造商编号：
- ZXMN6A09KQTC
- 制造商：
- DIODES(美台)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 60V 11.8A TO252
- 渠道：
- digikey
库存 ：20000
货期：（7~10天）
起订量：2500
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 2500 | ￥9.873061 | ￥24682.65 |
规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 11.8 A
漏源电阻 40 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 29 nC
耗散功率 10.1 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 14.5 ns
正向跨导（Min） 15 S
上升时间 4.6 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 32.5 ns
典型接通延迟时间 4.8 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 330 mg
ZXMN6A09KQTC 同类别型号
注
ZXMN6A09KQTC品牌厂家：DIODES
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、ZXMN6A09KQTC
数据手册PDF。
ZXMN6A09KQTC
型号：ZXMN6A09KQTC
品牌：DIODES
供货：锐单
库存：20000 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 2500+： | ￥9.873061 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00