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制造商 NXP
商标 NXP Semiconductors
晶体管极性 N-Channel
技术 Si
漏极电流 154 mA
漏源击穿电压 - 500 mV, 65 V
工作频率 2.45 GHz
输出功率 12.5 W
湿度敏感性 Yes
通道数量 1 Channel
耗散功率 48.1 W
栅极电压 - 6 V, 10 V
栅源极阈值电压 1.2 V
增益 18.6 dB
产品种类 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
安装风格 SMD/SMT
产品类型 RF MOSFET Transistors
类型 RF Power MOSFET
零件号别名 935320685515
单位重量 280 mg
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0MHT1008NT1
型号:MHT1008NT1
品牌:NXP
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