DMNH6011LK3Q-13
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- 制造商编号：
- DMNH6011LK3Q-13
- 制造商：
- DIODES(美台)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET BVDSS: 41V-60V TO252 T&R
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：2500
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 2500 | ￥8.567557 | ￥21418.89 |
| 5000 | ￥8.245538 | ￥41227.69 |
| 12500 | ￥7.972517 | ￥99656.46 |
规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 55 V
漏极电流 80 A
漏源电阻 12 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 49.1 nC
耗散功率 3 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 10.2 ns
上升时间 8.7 ns
典型关闭延迟时间 28.2 ns
典型接通延迟时间 5.9 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 330 mg
DMNH6011LK3Q-13 同类别型号
注
DMNH6011LK3Q-13品牌厂家：DIODES
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、DMNH6011LK3Q-13
数据手册PDF。
DMNH6011LK3Q-13
型号：DMNH6011LK3Q-13
品牌：DIODES
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 2500+： | ￥8.567557 |
| 5000+： | ￥8.245538 |
| 12500+： | ￥7.972517 |
货期：7-10天
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单价：￥0.00总价：￥0.00