货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥15.433804 | ¥15.43 |
10 | ¥13.862614 | ¥138.63 |
100 | ¥11.142929 | ¥1114.29 |
500 | ¥9.155166 | ¥4577.58 |
1000 | ¥7.585645 | ¥7585.65 |
制造商 onsemi
商标名 QFET
商标 onsemi / Fairchild
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 800 V
漏极电流 1.5 A
漏源电阻 4.9 Ohms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 5 V
栅极电荷 12 nC
耗散功率 35 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 28 ns
正向跨导(Min) 2.2 S
上升时间 30 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 25 ns
典型接通延迟时间 12 ns
高度 16.07 mm
长度 10.36 mm
宽度 4.9 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
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0FQPF2N80YDTU
型号:FQPF2N80YDTU
品牌:ON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥15.433804 |
10+: | ¥13.862614 |
100+: | ¥11.142929 |
500+: | ¥9.155166 |
1000+: | ¥7.585645 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥15.43