STGD4M65DF2
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起订量：2500
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 2500 | ￥3.64582 | ￥9114.55 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
STGD4M65DF2
制造商
ST(意法半导体)
商品描述
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S
包装
Tape & Reel (TR)
Alternate Packaging
系列
M
零件状态
Active
IGBT 类型
Trench Field Stop
电压 - 集射极击穿（最大值）
650V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
8A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
16A
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
2.1V @ 15V, 4A
功率 - 最大值
68W
开关能量
40µJ (on), 136µJ (off)
输入类型
Standard
栅极电荷
15.2nC
25°C 时 Td（开/关）值
12ns/86ns
测试条件
400V, 4A, 47Ohm, 15V
反向恢复时间（trr）
133ns
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商器件封装
DPAK
STGD4M65DF2 同类别型号
注
STGD4M65DF2品牌厂家：ST
，所属分类： 晶体管-IGBT
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替代型号
、STGD4M65DF2
数据手册PDF。
STGD4M65DF2
型号：STGD4M65DF2
品牌：ST
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 2500+： | ￥3.64582 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00