AFGB40T65SQDN
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：800
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 800 | ￥19.25983 | ￥15407.86 |
| 1600 | ￥16.243235 | ￥25989.18 |
| 2400 | ￥15.431042 | ￥37034.50 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 650 V
饱和电压 1.6 V
栅极/发射极最大电压 20 V
在25 C的连续集电极电流 80 A
耗散功率 238 W
集电极连续电流（Max） 40 A
栅极—射极漏泄电流 400 nA
物理类型
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 IGBT Transistors
单位重量 2.067 g
AFGB40T65SQDN 同类别型号
注
AFGB40T65SQDN品牌厂家：ON
，所属分类： 晶体管-IGBT
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替代型号
、AFGB40T65SQDN
数据手册PDF。
AFGB40T65SQDN
型号：AFGB40T65SQDN
品牌：ON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 800+： | ￥19.25983 |
| 1600+： | ￥16.243235 |
| 2400+： | ￥15.431042 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00