NTMD6601NR2G
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整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 566 | ￥3.09872 | ￥1753.88 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
NTMD6601NR2G
制造商
ON(安森美)
商品描述
MOSFET 2N-CH 80V 1.1A 8SOIC
包装
Tape & Reel (TR)
系列
-
零件状态
Obsolete
FET 类型
2 N-Channel (Dual)
FET 功能
Logic Level Gate
漏源电压（Vdss）
80V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
1.1A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
215mOhm @ 2.2A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
15nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
400pF @ 25V
功率 - 最大值
600mW
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/外壳
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供应商器件封装
8-SOIC
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注
NTMD6601NR2G
型号：NTMD6601NR2G
品牌：ON
供货：锐单
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单价：
| 566+： | ￥3.09872 |
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+ -
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