RGPR30BM40HRTL
库存 ：2500
货期：（7~10天）
起订量：2500
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 2500 | ￥12.349179 | ￥30872.95 |
| 5000 | ￥11.884878 | ￥59424.39 |
| 12500 | ￥11.491461 | ￥143643.26 |
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 430 V
饱和电压 1.6 V
栅极/发射极最大电压 10 V
在25 C的连续集电极电流 30 A
耗散功率 125 W
集电极连续电流（Max） 30 A
栅极—射极漏泄电流 0.6 mA
物理类型
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 IGBT Transistors
单位重量 627.053 mg
RGPR30BM40HRTL 同类别型号
注
RGPR30BM40HRTL品牌厂家：ROHM
，所属分类： 晶体管-IGBT
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替代型号
、RGPR30BM40HRTL
数据手册PDF。
RGPR30BM40HRTL
型号：RGPR30BM40HRTL
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：2500 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 2500+： | ￥12.349179 |
| 5000+： | ￥11.884878 |
| 12500+： | ￥11.491461 |
货期：7-10天
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单价：￥0.00总价：￥0.00