
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥14.825312 | ¥14.83 |
| 10 | ¥13.310783 | ¥133.11 |
| 100 | ¥10.698222 | ¥1069.82 |
| 500 | ¥8.78981 | ¥4394.90 |
| 1000 | ¥7.643302 | ¥7643.30 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 1.2 kV
饱和电压 1.5 V
栅极/发射极最大电压 20 V
在25 C的连续集电极电流 30 A
耗散功率 156 W
集电极连续电流(Max) 30 A
栅极—射极漏泄电流 100 nA
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
零件号别名 IHW15N120E1 SP001391908
单位重量 6 g
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0IHW15N120E1XKSA1
型号:IHW15N120E1XKSA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥14.825312 |
| 10+: | ¥13.310783 |
| 100+: | ¥10.698222 |
| 500+: | ¥8.78981 |
| 1000+: | ¥7.643302 |
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单价:¥0.00总价:¥14.83