货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥14.685489 | ¥14.69 |
10 | ¥13.185245 | ¥131.85 |
100 | ¥10.597324 | ¥1059.73 |
500 | ¥8.706911 | ¥4353.46 |
1000 | ¥7.571216 | ¥7571.22 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 1.2 kV
饱和电压 1.5 V
栅极/发射极最大电压 20 V
在25 C的连续集电极电流 30 A
耗散功率 156 W
集电极连续电流(Max) 30 A
栅极—射极漏泄电流 100 nA
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
零件号别名 IHW15N120E1 SP001391908
单位重量 6 g
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0IHW15N120E1XKSA1
型号:IHW15N120E1XKSA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥14.685489 |
10+: | ¥13.185245 |
100+: | ¥10.597324 |
500+: | ¥8.706911 |
1000+: | ¥7.571216 |
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单价:¥0.00总价:¥14.69