货期: 8周-10周
起订量:2000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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2000 | ¥8.866682 | ¥17733.36 |
制造商 Vishay
商标 Vishay / Siliconix
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 7 A
漏源电阻 500 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 24 nC
耗散功率 78 W
配置 Single
下降时间 20 ns
上升时间 12 ns
典型关闭延迟时间 30 ns
典型接通延迟时间 14 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 330 mg
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0SIHD6N65ET5-GE3
型号:SIHD6N65ET5-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
2000+: | ¥8.866682 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥0.00