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| 数量 | 价格 | 总计 |
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| 1+ : 需询价 | ||
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 7.4 A
漏源电阻 600 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 20 nC
耗散功率 28 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 9 ns
上升时间 7 ns
晶体管类型 1 N-Channel SuperFET III MOSFET
典型关闭延迟时间 39 ns
典型接通延迟时间 13 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
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0FCPF600N60ZL1
型号:FCPF600N60ZL1
品牌:ON
供货:锐单
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