FGH50T65SQD-F155
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥38.09428 | ￥38.09 |
| 10 | ￥34.219014 | ￥342.19 |
| 100 | ￥28.03484 | ￥2803.48 |
| 500 | ￥23.86537 | ￥11932.68 |
| 1000 | ￥20.127347 | ￥20127.35 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi / Fairchild
技术类参数
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 650 V
饱和电压 1.6 V
栅极/发射极最大电压 20 V
在25 C的连续集电极电流 100 A
耗散功率 268 W
集电极连续电流（Max） 100 A
栅极—射极漏泄电流 +/- 400 nA
物理类型
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
零件号别名 FGH50T65SQD_F155
单位重量 6.390 g
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注
FGH50T65SQD-F155品牌厂家：ON
，所属分类： 晶体管-IGBT
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替代型号
、FGH50T65SQD-F155
数据手册PDF。
FGH50T65SQD-F155
型号：FGH50T65SQD-F155
品牌：ON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥38.09428 |
| 10+： | ￥34.219014 |
| 100+： | ￥28.03484 |
| 500+： | ￥23.86537 |
| 1000+： | ￥20.127347 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥38.09