货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥131.712804 | ¥131.71 |
10 | ¥121.044068 | ¥1210.44 |
100 | ¥102.231888 | ¥10223.19 |
500 | ¥90.942185 | ¥45471.09 |
1000 | ¥83.415996 | ¥83416.00 |
制造商 IXYS
商标 IXYS
商标名 HiPerFAST
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 900 V
饱和电压 2.2 V
栅极/发射极最大电压 20 V
在25 C的连续集电极电流 75 A
耗散功率 400 W
集电极连续电流 75 A
集电极连续电流(Max) 200 A
栅极—射极漏泄电流 100 nA
工作温度范围 - 55 C to + 150 C
高度 21.46 mm
长度 16.26 mm
宽度 5.3 mm
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
单位重量 6.500 g
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0IXGH50N90B2D1
型号:IXGH50N90B2D1
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
1+: | ¥131.712804 |
10+: | ¥121.044068 |
100+: | ¥102.231888 |
500+: | ¥90.942185 |
1000+: | ¥83.415996 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥131.71