DMP45H4D9HJ3
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- 制造商编号：
- DMP45H4D9HJ3
- 制造商：
- DIODES(美台)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET P-CH 450V 4.6A TO251
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥11.275433 | ￥11.28 |
| 10 | ￥9.825734 | ￥98.26 |
| 100 | ￥6.799955 | ￥680.00 |
| 500 | ￥5.681828 | ￥2840.91 |
| 1000 | ￥4.835551 | ￥4835.55 |
| 2000 | ￥4.306721 | ￥8613.44 |
| 5000 | ￥4.080097 | ￥20400.49 |
| 10000 | ￥3.777767 | ￥37777.67 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
DMP45H4D9HJ3
制造商
DIODES(美台)
商品描述
MOSFET P-CH 450V 4.6A TO251
包装
Tube
系列
-
零件状态
Active
FET 类型
P-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
450V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
4.6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
4.9Ohm @ 1.05A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
13.7nC @ 10V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
547pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
104W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商器件封装
TO-251
封装/外壳
TO-251-3, IPak, Short Leads
DMP45H4D9HJ3 同类别型号
注
DMP45H4D9HJ3品牌厂家：DIODES
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、DMP45H4D9HJ3
数据手册PDF。
DMP45H4D9HJ3
型号：DMP45H4D9HJ3
品牌：DIODES
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥11.275433 |
| 10+： | ￥9.825734 |
| 100+： | ￥6.799955 |
| 500+： | ￥5.681828 |
| 1000+： | ￥4.835551 |
| 2000+： | ￥4.306721 |
| 5000+： | ￥4.080097 |
| 10000+： | ￥3.777767 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥11.28