APT33GF120B2RDQ2G
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- 制造商编号：
- APT33GF120B2RDQ2G
- 制造商：
- MICROSEMI(美高森美)
- 产品类别：
- 晶体管-IGBT
- 商品描述：
- IGBT 1200V 64A 357W TMAX
- 渠道：
- 国内现货digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥104.615088 | ￥104.62 |
| 100 | ￥96.10325 | ￥9610.33 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
APT33GF120B2RDQ2G
制造商
MICROSEMI(美高森美)
商品描述
IGBT 1200V 64A 357W TMAX
包装
Tube
系列
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零件状态
Active
IGBT 类型
NPT
电压 - 集射极击穿（最大值）
1200V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
64A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
75A
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
3V @ 15V, 25A
功率 - 最大值
357W
开关能量
1.315mJ (on), 1.515mJ (off)
输入类型
Standard
栅极电荷
170nC
25°C 时 Td（开/关）值
14ns/185ns
测试条件
800V, 25A, 4.3Ohm, 15V
反向恢复时间（trr）
-
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
封装/外壳
TO-247-3 Variant
供应商器件封装
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注
APT33GF120B2RDQ2G品牌厂家：MICROSEMI
，所属分类： 晶体管-IGBT
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替代型号
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。
APT33GF120B2RDQ2G
型号：APT33GF120B2RDQ2G
品牌：MICROSEMI
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥104.615088 |
| 100+： | ￥96.10325 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥104.62