STGW10M65DF2
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货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥27.959739 | ￥27.96 |
| 10 | ￥25.163766 | ￥251.64 |
| 100 | ￥20.224664 | ￥2022.47 |
| 500 | ￥16.617043 | ￥8308.52 |
| 1000 | ￥13.768409 | ￥13768.41 |
| 2000 | ￥13.436962 | ￥26873.92 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
STGW10M65DF2
制造商
ST(意法半导体)
商品描述
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
包装
Tube
系列
M
零件状态
Active
IGBT 类型
Trench Field Stop
电压 - 集射极击穿（最大值）
650V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
20A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
40A
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
2V @ 15V, 10A
功率 - 最大值
115W
开关能量
120µJ (on), 270µJ (off)
输入类型
Standard
栅极电荷
28nC
25°C 时 Td（开/关）值
19ns/91ns
测试条件
400V, 10A, 22Ohm, 15V
反向恢复时间（trr）
96ns
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Through Hole
封装/外壳
TO-247-3
供应商器件封装
TO-247
STGW10M65DF2 同类别型号
注
STGW10M65DF2品牌厂家：ST
，所属分类： 晶体管-IGBT
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替代型号
、STGW10M65DF2
数据手册PDF。
STGW10M65DF2
型号：STGW10M65DF2
品牌：ST
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥27.959739 |
| 10+： | ￥25.163766 |
| 100+： | ￥20.224664 |
| 500+： | ￥16.617043 |
| 1000+： | ￥13.768409 |
| 2000+： | ￥13.436962 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥27.96