FGH30N60LSDTU
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥64.503857 | ￥64.50 |
| 200 | ￥24.967476 | ￥4993.50 |
| 500 | ￥24.088436 | ￥12044.22 |
| 1000 | ￥23.652323 | ￥23652.32 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi / Fairchild
技术类参数
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 600 V
栅极/发射极最大电压 20 V
集电极连续电流（Max） 60 A
外形参数
高度 20.82 mm
长度 15.87 mm
宽度 4.82 mm
物理类型
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
单位重量 6.390 g
FGH30N60LSDTU 同类别型号
注
FGH30N60LSDTU品牌厂家：ON
，所属分类： 晶体管-IGBT
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替代型号
、FGH30N60LSDTU
数据手册PDF。
FGH30N60LSDTU
型号：FGH30N60LSDTU
品牌：ON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥64.503857 |
| 200+： | ￥24.967476 |
| 500+： | ￥24.088436 |
| 1000+： | ￥23.652323 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥64.50