货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥27.059692 | ¥27.06 |
10 | ¥24.291942 | ¥242.92 |
25 | ¥22.922896 | ¥573.07 |
100 | ¥17.877931 | ¥1787.79 |
250 | ¥17.419522 | ¥4354.88 |
500 | ¥15.12748 | ¥7563.74 |
1000 | ¥12.835438 | ¥12835.44 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 650 V
饱和电压 1.65 V
栅极/发射极最大电压 30 V
在25 C的连续集电极电流 10 A
耗散功率 25 W
集电极连续电流(Max) 30 A
栅极—射极漏泄电流 200 nA
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
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0RGT20TM65DGC9
型号:RGT20TM65DGC9
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
1+: | ¥27.059692 |
10+: | ¥24.291942 |
25+: | ¥22.922896 |
100+: | ¥17.877931 |
250+: | ¥17.419522 |
500+: | ¥15.12748 |
1000+: | ¥12.835438 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥27.06