RGT30NS65DGC9
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥19.802979 | ￥19.80 |
| 10 | ￥16.624457 | ￥166.24 |
| 100 | ￥13.448805 | ￥1344.88 |
| 500 | ￥11.954255 | ￥5977.13 |
| 1000 | ￥10.235772 | ￥10235.77 |
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 650 V
饱和电压 1.65 V
栅极/发射极最大电压 30 V
在25 C的连续集电极电流 30 A
耗散功率 133 W
栅极—射极漏泄电流 200 nA
物理类型
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
零件号别名 RGT30NS65D(TO-262)
RGT30NS65DGC9 同类别型号
注
RGT30NS65DGC9
型号：RGT30NS65DGC9
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥19.802979 |
| 10+： | ￥16.624457 |
| 100+： | ￥13.448805 |
| 500+： | ￥11.954255 |
| 1000+： | ￥10.235772 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥19.80