
货期: 8周-10周
起订量:150
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 150 | ¥10.562007 | ¥1584.30 |
制造商 Toshiba
商标名 U-MOSVIII-H
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 120 V
漏极电流 88 A
漏源电阻 7.8 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 52 nC
耗散功率 140 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 22 ns
上升时间 18 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 64 ns
典型接通延迟时间 40 ns
高度 15.1 mm
长度 10.16 mm
宽度 4.45 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
购物车
0TK42E12N1,S1X
型号:TK42E12N1,S1X
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
| 150+: | ¥10.562007 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥0.00