FQD12N20LTM-F085P
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- 制造商编号：
- FQD12N20LTM-F085P
- 制造商：
- ON(安森美)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- NMOS DPAK 200V 280 MOHM
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：2500
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 2500 | ￥10.692764 | ￥26731.91 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi / Fairchild
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 200 V
漏极电流 9 A
漏源电阻 220 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 21 nC
耗散功率 55 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 120 ns
正向跨导（Min） 11.6 S
上升时间 190 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 60 ns
典型接通延迟时间 15 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 FQD12N20LTM_F085P
单位重量 360 mg
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注
FQD12N20LTM-F085P品牌厂家：ON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、FQD12N20LTM-F085P
数据手册PDF。
FQD12N20LTM-F085P
型号：FQD12N20LTM-F085P
品牌：ON
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 2500+： | ￥10.692764 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00