AFGHL75T65SQD
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥38.450042 | ￥38.45 |
| 10 | ￥32.97808 | ￥329.78 |
| 100 | ￥27.481538 | ￥2748.15 |
| 500 | ￥24.248574 | ￥12124.29 |
| 1000 | ￥21.823706 | ￥21823.71 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 650 V
饱和电压 1.6 V
栅极/发射极最大电压 20 V
在25 C的连续集电极电流 80 A
耗散功率 375 W
集电极连续电流（Max） 300 A
栅极—射极漏泄电流 400 nA
物理类型
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
资格 AEC-Q101
产品类型 IGBT Transistors
单位重量 9.594 g
AFGHL75T65SQD 同类别型号
注
AFGHL75T65SQD
型号：AFGHL75T65SQD
品牌：ON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥38.450042 |
| 10+： | ￥32.97808 |
| 100+： | ￥27.481538 |
| 500+： | ￥24.248574 |
| 1000+： | ￥21.823706 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥38.45