货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥44.357843 | ¥44.36 |
10 | ¥37.990346 | ¥379.90 |
100 | ¥31.661483 | ¥3166.15 |
500 | ¥27.93657 | ¥13968.28 |
1000 | ¥25.142884 | ¥25142.88 |
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 650 V
饱和电压 1.6 V
栅极/发射极最大电压 20 V
在25 C的连续集电极电流 80 A
耗散功率 375 W
集电极连续电流(Max) 300 A
栅极—射极漏泄电流 400 nA
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
资格 AEC-Q101
产品类型 IGBT Transistors
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0AFGHL75T65SQDT
型号:AFGHL75T65SQDT
品牌:ON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥44.357843 |
10+: | ¥37.990346 |
100+: | ¥31.661483 |
500+: | ¥27.93657 |
1000+: | ¥25.142884 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥44.36