AFGHL75T65SQDT
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥36.269457 | ￥36.27 |
| 10 | ￥31.063035 | ￥310.63 |
| 100 | ￥25.888202 | ￥2588.82 |
| 500 | ￥22.842504 | ￥11421.25 |
| 1000 | ￥20.55823 | ￥20558.23 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 650 V
饱和电压 1.6 V
栅极/发射极最大电压 20 V
在25 C的连续集电极电流 80 A
耗散功率 375 W
集电极连续电流（Max） 300 A
栅极—射极漏泄电流 400 nA
物理类型
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
资格 AEC-Q101
产品类型 IGBT Transistors
AFGHL75T65SQDT 同类别型号
注
AFGHL75T65SQDT
型号：AFGHL75T65SQDT
品牌：ON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥36.269457 |
| 10+： | ￥31.063035 |
| 100+： | ￥25.888202 |
| 500+： | ￥22.842504 |
| 1000+： | ￥20.55823 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥36.27