IPD031N03M G
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- 制造商编号：
- IPD031N03M G
- 制造商：
- INFINEON(英飞凌)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥8.86683 | ￥8.87 |
| 10 | ￥6.472621 | ￥64.73 |
| 30 | ￥6.026803 | ￥180.80 |
| 100 | ￥5.580984 | ￥558.10 |
| 500 | ￥5.382843 | ￥2691.42 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
IPD031N03M G
制造商
INFINEON(英飞凌)
商品描述
MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
包装
Digi-Reel®
系列
OptiMOS™
零件状态
Discontinued at Digi-Key
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
90A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
3.1mOhm @ 30A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
51nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
5300pF @ 15V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
-
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
PG-TO252-3
封装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
IPD031N03M G 同类别型号
注
IPD031N03M G品牌厂家：INFINEON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、IPD031N03M G
数据手册PDF
。
IPD031N03M G
型号：IPD031N03M G
品牌：INFINEON
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥8.86683 |
| 10+： | ￥6.472621 |
| 30+： | ￥6.026803 |
| 100+： | ￥5.580984 |
| 500+： | ￥5.382843 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥8.87