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| 1+ : 需询价 | ||
制造商 IXYS
商标 IXYS
技术 Si
配置 Single Dual Emitter
击穿电压(集电极-发射极) 600 V
栅极/发射极最大电压 20 V
集电极连续电流(Max) 75 A
高度 9.6 mm
长度 38.23 mm
宽度 25.42 mm
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 SMD/SMT
产品类型 IGBT Transistors
单位重量 30 g
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0IXSN50N60BD3
型号:IXSN50N60BD3
品牌:IXYS
供货:锐单
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