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制造商 GeneSiC Semiconductor
产品 IGBT Silicon Carbide Modules
商标 GeneSiC Semiconductor
配置 IGBT-Inverter
击穿电压(集电极-发射极) 1200 V
饱和电压 1.9 V
栅极—射极漏泄电流 400 nA
栅极/发射极最大电压 20 V
技术 SiC
产品种类 IGBT 模块
安装风格 SMD/SMT
产品类型 IGBT Modules
单位重量 30 g
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0GB100XCP12-227
型号:GB100XCP12-227
品牌:GENESIC
供货:锐单
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